国家开放大学22年春《传感器技术终结性考核【国开作业】
国家开放大学传感器技术终结性考核
1.电容式传感器分类有:( )
A.变面积式
B.变极距式
C.变参数式
D.变介电常数式
BD
2.电容式传感器分为:( )
A.变极距型
B.变面积型
C.变介电常数型
D.差动型
3.石英晶体的优点有:( )
A.绝缘性能好
B.动态响应快
C.线性范围宽
D.迟滞小
E.易破碎
4.传感器的分类方法有:( )
A.根据被测量分类
B.依据传感器的工作原理分类
C.按照能量的传递方式分类
D.根据输出信号的性质分类
5.传感器的输出量对于随时间变化的输入量的响应特性称为传感器的静态特性。
6.传感器的中间转换电路将输出信号转换成易于测量和处理的电信号。
7.绝对测量指被测量的全值可以直接由计量器具的读数装置上获得。
8.敏感元件是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分。
9.正确度表示系统误差大小的程度。
10.转换元件是指传感器中能将敏感元件感受或响应的被测量转换成适于传输或测量的电信号的部分。
11.超声波形成驻波条件是振幅相同的相干波在同一直线上彼此相向传播时叠加而成的波。
12.超声波遵循几何光学中的反射和折射定律。
13.气敏传感器是一种将检测到的气体成分和浓度转换为电信号的传感器。
14.气敏元件表面吸附被测气体时,它的电阻值将发生变化。
15.用穿透法测量,指示简单,便于自动探伤。
16.用共振法测厚可精确的测厚,特别适宜测量薄板及薄壁管。
17.纵波是质点的振动方和波的传播方向相同的波成为纵波。
18.磁栅式位移传感器的磁头,只有在运动时才有感应电动势输出的是动态磁头。
19.当滑尺相对于定尺移动一个微小距离后,于是定尺上就有误差电势输出。
20.对于直线型磁栅位移传感器,当磁尺与磁头之间的相对位置发生变化时,读取磁头的铁心使磁栅标尺的磁通有效地通过绕组,在电磁感应作用下,信号输出绕组中将产生感应电动势。
21.感应同步器利用定尺和滑尺两个平面印刷电路绕组的互感随其相对位置的变化而变化的原理,将位移量转换为电信号。
22.光栅式位移传感器的测量范围为标尺光栅的有效长度。
23.每当光栅移动一个栅距,辨向电路输出一个脉冲,可逆计数器进行一次加法或减法计数,计数器累计的脉冲数与光栅栅距的乘积,就是光栅的实际位移量。
24.所谓细分(也叫倍频),是在莫尔条纹变化一周期内输出若干个脉冲,减小脉冲当量,从而提高测量精度。
25.直线型透射光栅传感器利用莫尔条纹原理制成。
26.光照下释放出的电子逸出物体表面的现象,称为外光电效应。
27.利用内光电效应制作的器件有光敏电阻等。
28.采用相敏整流电路,得到的输出信号既能反映位移的大小,又能反映位移的方向。
29.差动整流电路是差动变压器常用的测量电路,把差动变压器两个输出线圈的侧电压分别整流后,以它们的差作为输出,这样侧电压上的零点残余电压就不会影响测量结果。
30.金属导体的电阻值随着机械变形而变化的物理现象,称为金属的电阻应变效应。
31.丝式和箔式应变片的不同点:箔式应变片的应变主要集中在几何尺寸的变化上,灵敏度较低但稳定;半导体应变片主要集中在电阻率变化上,灵敏度较高但不稳定。
32.丝式和箔式应变片的相同点:都是利用应变效应工作的。
33.线绕式电位计的阶梯特性限制了其分辨力和灵敏度。
34.相敏整流电路的作用是把电感量的变化转换为电压或电流信号,以便送入后续放大电路进行放大,然后由仪器指示或记录。
35.应变片在受到外力变形时,其截面积变化引起的电阻变化,称为横向效应。
36.在电子秤中常使用电阻应变片式力传感器。
37.当金属部件通过霍尔元件上方时,由于磁路系统发生变化,导致磁场强度变化,从而使霍尔元件输出一个信号。这个信号经过整形处理后送入计数器,即可得到金属部件的个数。
38.霍尔电势的大小正比于控制电流和磁感应强度,即。
39.将金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中,磁场方向垂直于薄片,当有电流流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种现象称为霍尔效应。(√)
40.开关型霍尔传感器由霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门等电路组成。
41.实际使用时,对于电压放大器不能随意更换传感器出厂时的连接电缆,否则,会给测量带来误差。
42.压电式传感器中的压电晶片既是传感器的敏感元件,又是传感器的转换元件。
43.压电效应不是可逆的。
44.在实际中使用的压电传感器,大都采用压电陶瓷材料。
45.传感器在相同工作条件下,对同一被测物理量进行多次连续测量所得结果之间不一致性程度的指标,称为重复性。
46.影响传感器稳定性的因素是时间和环境。
47.非接触式测温方法的特点是感温元件与被测对象通过热辐射进行热交换。
48.热敏电阻常数B 的单位是开尔文。
49.热敏电阻式湿敏传感器能够直接感受相对湿度。
50.在热电偶中,热电动势的大小与两种导体材料的热端和冷端的温差有关。
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