大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数大连理工大学泽学网微信：zexue66

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确

大连理工大学23秋《电力电子技术》在线作业1

共20道题 总分：100分

一、单选题(共6题，30分)

1.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。

A、交流断路器

B、快速熔断器

C、直流快速断路器

D、快速短路器

2.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。

A、PIC

B、IGCT

C、SITH

D、SIT

3.下列不是晶闸管的主要参数的选项是（ ）。

A、额定电压

B、额定电流

C、静态参数

D、维持电流

4.（ ）的英文缩写是GTR。

A、电力二极管

B、门极可关断晶闸管

C、电力晶体管

D、电力场效应晶体管

5.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。

A、0-5

B、5-10

C、10-15

D、15-20

6.控制极信号能控制器件的导通，但不能控制其关断，器件的关断完全由其承受的电压和电流决定，这样的电力电子器件称为（ ）。

A、半控型器件

B、全控型器件

C、不可控器件

D、自关断器件

二、多选题(共6题，30分)

1.硒堆保护有下列哪几种接法？（ ）

A、单相联结

B、单相悬空联结

C、三相Y联结

D、三相三角联结

2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。

A、快速熔断器

B、直流快速断路器

C、过电流继电器

D、其它选项都不正确

3.采用性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，会带来下列哪些优点？（ ）

A、缩短开关时间

B、拉长开关时间

C、减小开关损耗

D、增大开关损耗

4.GTR的主要特性是（ ）。

A、耐压低

B、耐压高

C、电流大

D、电流小

5.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。

A、尽量采用特性一致的元器件进行并联

B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联

C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置

D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置

6.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。

A、静态参数

B、动态参数

C、特性

D、指标

三、判断题(共8题，40分)

1.IGBT集GTR和电力MOSFET的优点于一体。

A、错误

B、正确

2.维持电流指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

A、错误

B、正确

3.晶闸管在导通和关断频率较高时，不必考虑时间的影响。

A、错误

B、正确

4.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。

A、错误

B、正确

5.GTR是电压驱动型自关断全控器件。

A、错误

B、正确

6.电力MOSFET可直接并联使用。

A、错误

B、正确

7.电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。

A、错误

B、正确

8.阻容吸收电路由电容和电阻串联而成，电阻具有储能作用。

A、错误

B、正确